鑽戒,GIA

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　　在集成電路的制造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephoreniepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的復制品。本文引用地址：http:www.eepw.com.cnarticle201902397742.htm　　Niepce的發明100多年后，即第二次世界大戰期間才第一應用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。　　所謂光刻，根據維基百科的定義，這是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。　　光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。　　光刻原理意圖　　光刻不是一個簡單的過程，它要經歷很多步驟：　　　　光刻的工序　　下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：　　一、清洗硅片(WaferClean)　　清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性　　基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。　　　　硅片經過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：　　A.有機雜質沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術來　　去除。　　B.顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑≥0.4μm顆粒，利用兆聲波可去除≥0.2μm顆粒。　　C.金屬離子沾污：必須采用化學的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質沾污有兩大類：　　a.一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。　　b.另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。　　硅拋光片的化學清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進行清洗去除沾污。　　a.使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。　　b.用無害的小直徑強正離子(如H+)來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。　　c.用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。　　自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術、美國原CFM公司推出的Full-Flowsystems封閉式溢流型清洗技術、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(例GoldfingerMach2清洗系統)、美國SSEC公司的雙面檫洗技術(例M3304DSS清洗系統)、日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(用電介超純離子水清洗)使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平、以HFO3為基礎的硅片化學清洗技術。　　二、預烘和底膠涂覆(Pre-bakeandPrimerVapor)　　由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100°C。這是與底膠涂覆合并進行的。　　底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用:(HMDS)六甲基二硅胺、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。　　　　預烘和底膠蒸氣涂覆

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